
项目先容:该项目是先导芯光电子科技(武汉)有限公司先导化合物半导体研爆发产基地,是百亿级高端化合物半导体质料及芯片器件工业化项目,于2024年3月签约落户光谷,总投资120亿元,修建面积26万平方米,共19栋修建,包括研发中心、生产调理中心、办公大楼等�W鹆笨松褪遣偻鴝6mg清洁中标的建设规模,是生产基地主要的组成部分,意义重大。项目整体妄想年产衬底/外延片超80万片,达产后预计年产能笼罩5万片砷化镓芯片、1万片磷化铟芯片及30万只光电器件。
建设规模:包括但不限于园区内#1、4生产厂房、#5污水处置惩罚站房、#6动力站、#7固废库、#8罐区、#9事故池、#10化学品库1、#11化学品库2、#20氢气站、#21废水池、#22废水提升站内的修建装饰装修、结构、给排水、气化、暖通、动力、电气、自控、消防、通讯、安防等系统的装备质料采购及装置调试等。
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